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士兰微SVF3878PN MOS管-900V高压MOSFET|低导通电阻|工业级功率器件
产品概述
士兰微SVF3878PN是一款采用平面技术的N沟道高压MOSFET（900V/9A），专为高功率密度应用设计。通过优化的元胞结构和封装工艺，实现了极低的导通电阻（RDS(on)≤1Ω）和卓越的开关性能，适用于工业控制、新能源设备及高端电源系统。
核心优势
- ▶ 900V耐压等级，满足工业高压应用需求
- ▶ 低导通电阻：1Ω（典型值@VGS=10V）
- ▶ 高电流处理能力：9A（25℃）
- ▶ 快速开关特性：Qg=67.8nC（典型值）
- ▶ 工业级温度范围：-55℃~+150℃
- ▶ 符合RoHS标准，无卤封装
应用领域
工业电源
开关电源、UPS、电焊机
电机驱动
伺服电机、变频器、电动车控制器
新能源设备
光伏逆变器、储能系统、充电桩
消费电子
空调控制器、LED照明驱动
技术参数
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDS | 900 | V |
| 栅源电压 | VGS | ±30 | V |
| 连续漏极电流 | ID | 9 | A |
| 导通电阻 | RDS(on) | ≤1 | Ω |
| 栅极电荷 | Qg | 67.8 | nC |
| 封装形式 | - | TO-3P | - |
为什么选择士兰微SVF3878PN？
- 自主研发的平面技术，性能超越国际同类产品
- 100%出厂测试，确保1000小时可靠性
- 提供完整的应用解决方案和FAE技术支持
- 规模化生产保障稳定供应，缩短客户供应链周期
- 荣获"中国半导体创新产品奖"，品质认证覆盖ISO/TS 16949
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