士兰微SVF23N50PN MOS管_500V23A高压场效应管-工业电源专用

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标题：士兰微SVF23N50PN MOS管 | 500V高压N沟道场效应管，工业级低内阻解决方案
副标题：23A大电流/超低RDS(on) 0.2Ω，适配开关电源、逆变器、新能源设备，稳定供货！

产品概述

士兰微SVF23N50PN是一款高性能N沟道高压MOSFET管，专为高功率、高耐压场景设计，支持500V漏源电压（VDS）与23A持续漏极电流（ID），具备0.2Ω超低导通电阻（RDS(on)）。采用TO-3P封装，兼顾散热与安装便捷性，广泛应用于工业电源、光伏逆变器、UPS系统、电动车充电桩等领域，显著提升系统效率与可靠性。

核心优势

高压大电流承载
500V耐压设计，耐受工业级电压波动，搭配23A持续电流输出，满足高功率设备需求。
超低导通损耗
RDS(on)低至0.2Ω（@VGS=10V），减少能量损耗，降低温升，延长设备寿命。
快速开关性能
优化的栅极电荷（Qg）与反向恢复时间，支持高频开关应用（如PWM控制），提升响应速度。
工业级可靠性
TO-3P封装散热优异，工作温度范围**-55℃~150℃**，通过士兰微严格老化测试，抗ESD能力强。

典型应用领域

工业电源系统：服务器电源、通信基站电源、大功率适配器。
新能源设备：光伏逆变器、储能系统、电动车充电模块。
电机驱动：高压直流电机、工业变频器、电动工具控制板。
消费电子：LED驱动电源、家用逆变器、智能家电主控电路。

技术参数速查表

参数	数值
型号	SVF23N50PN
类型	N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）	500V
持续漏极电流（ID）	23A
导通电阻（RDS(on)）	0.2Ω @ VGS=10V
封装形式	TO-3P
工作温度	-55℃ ~ +150℃

为什么选择士兰微SVF23N50PN？

国产高端替代：性能对标国际品牌（如英飞凌、ST），成本优势显著，支持本土化供应链。
全场景适配：提供完整技术文档（Datasheet）、应用电路参考设计及EMI优化建议。
快速交付：自有晶圆厂产能保障，现货库存充足，支持样品申请与定制化服务。

常见问题（FAQ）

Q1：SVF23N50PN是否适用于高频逆变器设计？
A：是的，其低Qg特性与快速开关能力可优化高频逆变效率，减少开关损耗。

Q2：该型号能否替代IRFP460等同类进口MOS管？
A：完全可以，士兰微SVF23N50PN在耐压、电流及内阻参数上表现更优，且性价比更高。

Q3：如何确保批量供货稳定性？
A：士兰微拥有自主生产线，提供长期供货协议与产能锁定服务，规避缺货风险。

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