SGT20T60SD1P7-士兰微-IGBT
一、产品核心优势:SGT20T60SD1P7技术亮点
士兰微SGT20T60SD1P7 IGBT是一款600V/20A高性能功率器件,采用第五代场截止型(Field Stop V)技术,具备超低导通损耗、高开关速度和优异温度稳定性,适用于数字充电器、开关电源、新能源逆变器等场景。
核心性能:
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电压/电流:600V / 20A(Tc=25℃)
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低饱和压降:Vce(sat)≤1.5V,减少系统能耗
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快速关断:Eoff≤0.35mJ,提升能效
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宽温度范围:-40℃~+150℃,稳定运行
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紧凑封装:TO-247,兼容常规散热设计
二、典型应用场景与客户案例
1. 数字充电器
SGT20T60SD1P7的低损耗与静音设计,助力某品牌数字充电器能效提升15%,噪音降低至28dB,通过国家一级能效认证。
2. 工业开关电源
在1kW工业电源方案中,该模块的高开关频率(≤40kHz)与低EMI特性帮助客户通过FCC认证,系统效率达**94%**以上。
3. 小型光伏逆变器
针对户用光伏系统,SGT20T60SD1P7的高可靠性与抗浪涌能力,使某微型逆变器项目转换效率达97.5%,寿命延长至10年。
三、技术参数与选型对比(附PDF下载)
关键参数表:
参数 | 数值 |
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集电极-发射极电压 | 600V |
连续集电极电流 | 20A (@Tc=25℃) |
峰值电流 | 40A |
开关损耗(Eon+Eoff) | ≤0.7mJ |
封装形式 | TO-247 |
竞品对比优势:
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对比英飞凌IKW20N60T,SGT20T60SD1P7在导通损耗和供应稳定上更优,成本降低约20%。
四、客户评价与技术支持
某电源企业反馈:
“采用SGT20T60SD1P7后,开关电源功耗降低22%,且良率提升至99.8%,大幅降低生产成本。”
服务承诺:
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免费提供EMI优化方案与SPICE仿真模型
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24小时样品送达(支持企业用户认证)
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批量订单1天快速响应
五、常见问题解答(FAQ)
Q1:该IGBT是否适用于高频反激式电源?
答:支持最高30kHz开关频率,适用于反激拓扑,若需更高频需求,建议选用士兰微SJ MOSFET系列。
Q2:如何避免模块在高温环境下失效?
答:推荐使用PCB铜箔散热+强制风冷,确保壳温≤125℃。官网提供《D-PAK封装热设计手册》下载。
六、立即获取免费样品
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