SGT20T60SD1P7-士兰微-IGBT

SGT20T60SD1P7-士兰微-IGBT

一、产品核心优势:SGT20T60SD1P7技术亮点

士兰微SGT20T60SD1P7 IGBT是一款600V/20A高性能功率器件,采用第五代场截止型(Field Stop V)技术,具备超低导通损耗高开关速度优异温度稳定性,适用于数字充电器、开关电源、新能源逆变器等场景。

核心性能

  • 电压/电流:600V / 20A(Tc=25℃)

  • 低饱和压降:Vce(sat)≤1.5V,减少系统能耗

  • 快速关断:Eoff≤0.35mJ,提升能效

  • 宽温度范围:-40℃~+150℃,稳定运行

  • 紧凑封装:TO-247,兼容常规散热设计


二、典型应用场景与客户案例

1. 数字充电器
SGT20T60SD1P7的低损耗与静音设计,助力某品牌数字充电器能效提升15%,噪音降低至28dB,通过国家一级能效认证。

2. 工业开关电源
在1kW工业电源方案中,该模块的高开关频率(≤40kHz)低EMI特性帮助客户通过FCC认证,系统效率达**94%**以上。

3. 小型光伏逆变器
针对户用光伏系统,SGT20T60SD1P7的高可靠性抗浪涌能力,使某微型逆变器项目转换效率达97.5%,寿命延长至10年。


三、技术参数与选型对比(附PDF下载)

关键参数表

参数 数值
集电极-发射极电压 600V
连续集电极电流 20A (@Tc=25℃)
峰值电流 40A
开关损耗(Eon+Eoff) ≤0.7mJ
封装形式 TO-247

竞品对比优势


四、客户评价与技术支持

某电源企业反馈
“采用SGT20T60SD1P7后,开关电源功耗降低22%,且良率提升至99.8%,大幅降低生产成本。”

服务承诺

  • 免费提供EMI优化方案与SPICE仿真模型

  • 24小时样品送达(支持企业用户认证)

  • 批量订单1天快速响应


五、常见问题解答(FAQ)

Q1:该IGBT是否适用于高频反激式电源?
答:支持最高30kHz开关频率,适用于反激拓扑,若需更高频需求,建议选用士兰微SJ MOSFET系列。

Q2:如何避免模块在高温环境下失效?
答:推荐使用PCB铜箔散热+强制风冷,确保壳温≤125℃。官网提供《D-PAK封装热设计手册》下载。


六、立即获取免费样品

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