产品概述

士兰微电子（Silan Microelectronics）推出的 SGT75T65SDM1P7 IGBT管 是一款专为高功率应用设计的先进绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。采用第七代 Field Stop Trench 技术，兼具低导通损耗、高开关速度与卓越的耐压能力（650V/75A），广泛应用于新能源、工业变频、电动汽车驱动及UPS电源等领域，助力客户实现高效节能的系统设计。

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核心优势与技术亮点

1. 高性能与低损耗

• 650V/75A 高耐压与大电流承载能力，适配中高功率场景。

• 超低 VCE(sat) 导通压降（1.7V @25℃），显著减少导通损耗。

• 快速开关特性（trr<100ns），提升系统效率与响应速度。

2. 强鲁棒性与可靠性

• 150℃ 高结温耐受，适应严苛工作环境。

• 优异的 短路耐受能力（SCWT） 与 抗闩锁设计，保障设备长期稳定运行。

3. 封装与散热优化

• TO-247 封装，增强散热性能，降低热阻（Rth(j-c)≤0.45℃/W）。

• 兼容自动化贴装工艺，降低生产成本。

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典型应用领域

• 新能源发电：光伏逆变器、风电变流器

• 工业控制：变频器、伺服驱动器、电焊机

• 电动汽车：电机驱动、车载充电机（OBC）

• 电力系统：UPS不间断电源、储能设备

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为什么选择士兰微SGT75T65SDM1P7？

1. 本土化技术支持：士兰微深耕中国半导体市场，提供快速响应的售前咨询与售后保障。

2. 成本优势：国产替代进口方案，性价比突出，缩短供货周期。

3. 认证齐全：符合 RoHS 及 REACH 标准，满足全球市场准入需求。

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客户常见问题（FAQ）

Q1：SGT75T65SDM1P7是否适配电动汽车驱动系统？
答：是的，其高耐压、低损耗特性可显著提升电机驱动效率，已通过多家车企验证。

Q2：如何获取样品与技术资料？
答：扫描右下角二维码【获取报价】或致电15950933050，我们将免费提供样品与完整规格书。

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士兰微授权代理商

士兰微SGT75T65SDM1P7 IGBT管凭借 高效能、高可靠性 特性，已成为工业变频、新能源及电动汽车领域的 优选功率器件。相较于传统MOSFET与普通IGBT，其 第七代沟槽栅技术 进一步优化了开关损耗与热管理效率，助力客户实现节能降本目标。作为国产半导体龙头企业，士兰微持续为全球客户提供 高品质、高性价比 的功率解决方案。

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