SVD640T是士兰微的一款18A 200V MOS管,昆山东森微电子有限公司为士兰微一级代理,可提供技术支持及13%增票，常备SVD640T库存.

18A、200V N沟道增强型场效应管
描述
SVD640T/D N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的S-RinTM平面VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC 电源转换器，高压.
H桥PWM马达驱动。
特点
◆18A，200V, Ros(on) (典型值) =0.129@Vcs=10V
◆低栅极电荷量
◆低反向传输电容
◆开关速度快
◆提升了dv/dt 能力