SVS11N65FJD2是士兰微的一款11A 650V 超洁场效应管,东森微电子是士兰微代理商,常备SVS11N65FJD2库存,并可提供相应技术支持对接.欢迎采购.

11A, 650V DP MOS功率管描述:
SVS11N65FJD2是N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子DPMOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度等特性，提高热行为。
此外，SVS11N65FJD2 应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

SVS11N65FJD2特点:
*11A,650V, Ros(on(典型伯)=0.332@Vcs=10V

*创新高压技术

*低栅极电荷

*定期额定雪崩

*较强dv/dt能力

*高电流峰值

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