IRF9530NPBF 属性
Attributes Table
Fet Type P-Ch
No of Channels 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss] 100V
Drain-Source On Resistance-Max 0.2Ω
Rated Power Dissipation 79W
Qg Gate Charge 58nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss] 20V
Drain Current 14A
Turn-on Delay Time 15ns
Turn-off Delay Time 45ns
Rise Time 58ns
Fall Time 46ns
Operating Temp Range -55°C to +175°C
Gate Source Threshold 4V
Technology Si
Height - Max 8.77mm
Length 10.54mm
Input Capacitance 760pF

IRF9530NPBF特性和应用:
国际整流器公司的第五代HEXFET采用高级工艺技术，实现了极低的单位硅片面积导通电阻。它的这个优点加上HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了非常高效和可靠的器件，适用于各种应用。

TO-220封装通常是功耗值约为50 W的所有商业、工业应用的首选。TO-220的低热阻和低封装成本使其受到了整个行业的广泛认可。

IRF9530NPBF特性:

先进的工艺技术
动态dv/dt额定值
175 °C的工作温度
快速开关
P沟道
通过了完全雪崩测试
无铅

IRF9530NPBF是单P沟道MOSFET。它采用TO-220AB封装，管装发货。