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FDS4435BZ图片

FDS4435BZ
元件品牌:FAIRCHILD
元件型号:FDS4435BZ
采购数量:
 

详细参数

The FDS4435BZ is a 20 mOhm and 30 V P-channel powertrench MOSFET. It is available in surface mount SOIC-8 package.

FDS4435BZ This P-Channel MOSFET is produced using semiconductor’s advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance. This device is well suited for Power Management and load switching applications common in Notebook Computers and Portable Battery Packs.

FDS4435BZ Features:
•Max rDS(on) = 20mΩ at VGS = –10V, ID = –8.8A
•Max rDS(on) = 35mΩ at VGS = –4.5V, ID = –6.7A
•Extended VGSS range (–25V) for battery applications
•HBM ESD protection level of ±3.8KV typical
•High performance trench technology for extremely low rDS(on)
•High power and current handling capability
•Termination is Lead–free and RoHS compliant


FDS4435BZ属性:
Fet Type: P-Ch
Drain-to-Source Voltage: [Vdss] 30V
Drain-Source On Resistance-Max: 20mΩ
Rated Power Dissipation: 2.5|W
Qg Gate Charge: 28nC

我司不但为您提供可靠的FDS4435BZ场效应(MOS)管,还可提供FDS4435BZ应用资料、各类认证证书及产品研发等技术支持!
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