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IRF640NSTRPBF图片

IRF640NSTRPBF
元件品牌:IR
元件型号:IRF640NSTRPBF
采购数量:
 

详细参数

单 N 沟道 200 V 150 W 67 nC 功率 Mosfet 表面贴装 - D2PAK-3

制造商零件编号: IRF640NSPBF/IRF640NSTRPBF
安装方法:  Surface Mount
封装形式:  TO-263-3 (D2PAK)
包装:  TUBE
标准包装数量:  50/800

产品亮点

  • Fet Type: N-Ch
  • No of Channels: 1
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]:200 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 0.15 Ω
  • Rated Power Dissipation: 150 W
  • Qg Gate Charge: 67 nC
  • Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20 V
  • Drain Current: 18 A
  • Turn-on Delay Time: 10 ns
  • Turn-off Delay Time: 23 ns
  • Rise Time: 19 ns
  • Fall Time: 5.5 ns
  • Operating Temp Range: -55 to +175 °C
  • Gate Source Threshold: 4 V
  • Technology: Si
  • Height - Max: 4.83 mm
  • Length: 9.65 mm
  • Input Capacitance: 1160 pF
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