SIHG20N50C原装进口VISHAY MOS管G20N50C

数据列表标准包装  包装  类别产品族系列其它名称 SIHG20N50C 500 散装  分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单 - SIHG20N50CE3

规格

FET 类型FET 功能漏源极电压（Vdss）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）不同 Vds 时的输入电容（Ciss）功率 - 最大值工作温度安装类型封装/外壳供应商器件封装 MOSFET N 通道，金属氧化物 标准 500V 20A（Tc） 270 毫欧 @ 10A，10V 5V @ 250μA 76nC @ 10V 2942pF @ 25V 250W -55°C ~ 150°C（TJ） 通孔 TO-247-3 TO-247AC