IRFP4568PBF产品亮点

• Fet Type: N-Channel
• Drain-to-Source Voltage [Vdss]:150 V
• Drain-Source On Resistance-Max: 5.9 mΩ
• Qg Gate Charge: 151 nC
• Rated Power Dissipation: 517 W

IRFP4568PBF此产品不能运往到欧洲。

与同类器件相比，IRFP4568PBF在RDS(on)方面所作出的改进高达50%，无需工业应用中通常使用的大型、昂贵封装，有利于降低整体系统成本。此外，低RDS(on)实现了更低的传导损耗和更高的系统效率。

IRFP4568PBF是一款N沟道、150 V MOSFET，具有171 A的额定电流，采用TO-247封装，并具有5.9 Mohm的最大RDS(on)额定值。该器件达到工业级和一级潮湿敏感度（MSL1）标准。IRFP4568PBF是无铅器件，符合RoHS标准。