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IRFZ24NPBF图片

IRFZ24NPBF
元件品牌:IR
元件型号:IRFZ24NPBF
采购数量:
 

详细参数

单通道 N 沟道 55 V 45 W 20 nC Hexfet 功率 MosFet 法兰安装 - TO-220AB

制造商零件编号: IRFZ24NPBF
安装方法: Flange Mount
封装形式: TO-220-3 (TO-220AB)
包装: TUBE
标准包装数量: 50

IRFZ24NPBF产品亮点
  • Channel Type: N-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]:55 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 0.07 Ω
  • Qg Gate Charge: 20 nC
  • Rated Power Dissipation: 45 W

IRFZ24NPBF此产品不能运往到欧洲。

IR的第五代HEXFET®MOSFET采用先进的工艺技术制造,能够实现极低的硅导通电阻。这种优势加上快速的转换速率和以坚固耐用著称的HEXFET功率MOSFET器件设计,为设计人员提供了极其高效可靠、应用广泛的器件。

TO-220封装是所有功耗水平约为50 W的工商业应用的普遍首选。TO-220封装具有低热阻和低封装成本,因此受到整个行业的广泛认可。

IRFZ24NPBF特性:

  • 先进的工艺技术
  • 动态dv/dt等级
  • 175 °C 工作温度
  • 快速转换
  • 完备的雪崩测试
  • 无铅
IRFZ24NPBF是一款单N沟道MOSFET,采用TO-220AB封装,以管装出货。
我司不但为您提供可靠的IRFZ24NPBF场效应(MOS)管,还可提供IRFZ24NPBF应用资料、各类认证证书及产品研发等技术支持!
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