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CS6N70A3D-G,CS6N70A3D,充电器MOS管6N70,华晶代理

CS6N70A3D-G
元件品牌:东森微
元件型号:CS6N70A3D-G
全新原装正品保障,质量是企业的生命!
采购数量:
 

上一个元件:NCE01H13

下一个元件:IRFR3710ZTRPBF

 

详细参数

相关元件

Silicon N-Channel Power MOSFET
CS6N70A3D-G
○R Huajing Discrete Devices

General Description:
CS6N70A3D-G, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs,
is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce
the conduction loss, improve switching performance and enhance
the avalanche energy. The transistor can be used in various power
switching circuit for systemminiaturization and higher efficiency.
The package form is TO-251, which accords with the RoHS standard.

CS6N70A3D Features:
* Fast Switching
* ESD Improved Capability
* Low Gate Charge (Typical Data:15.5nC)
* Low Reverse transfer capacitances(Typical:6pF)
* 100%Single Pulse avalanche energy Test

CS6N70A3D Applications:
Power switch circuit of adaptor and charger.

#:
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