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18A、500V N沟道增强型场效应管
描述:
SVF18N50F/PN N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用SL电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。
特点:
∗开关速度快
∗提升了 dv/dt 能力
∗低反向传输电容
∗低栅极电荷量
∗18A，500V，RDS(on)(典型值)=0.26Ω@VGS=10V |
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