SVD3205T:110A、55V N沟道增强型场效应管
SVD3205T描述:

SVD3205T N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用士兰微电子新的平面VDMOS工艺技术制造。SVD3205T先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。SVD3205T在应用上，优化了器件的寄生参数，增强了栅极抗干扰能力，易于并联使用。 SVD3205T可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。

SVD3205T特点:
∗ 110A，55V，RDS(on)(典型值)=7.8mΩ@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了dv/dt能力