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IKW40N120T2图片

IKW40N120T2
元件品牌:东森微
元件型号:IKW40N120T2
采购数量:
 

产品介绍

品牌:INFINEON/英飞凌 型号:IKW40N120T2 种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放大
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道
数据列表 IKW40N120T2
产品相片 TO-247-3
Bitmap 标准包装 240
类别 分立半导体产品
家庭 IGBT - 单路
系列 TrenchStop®
Bitmap 包装 Bitmap
管件
IGBT 类型 沟道
电压 - 集射极击穿(最大值) 1200V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 75A
Current - Collector Pulsed (Icm) 160A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) 2.2V @ 15V,40A
功率 - 最大值 480W
Switching Energy 5.25mJ
输入类型 标准
Gate Charge 192nC
25°C 时 Td(开/关)值 33ns/314ns
Test Condition 600V, 40A, 12 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr) 258ns
封装/外壳 TO-247-3
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO247-3
其它名称 IKW40N120T2FKSA1
SP000244962
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