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IRFP4668PBF,IRFP4668,IR代理商

IRFP4668PBF
元件品牌:IR
元件型号:IRFP4668PBF
全新原装正品保障,质量是企业的生命!
采购数量:
 

上一个元件:IKW40N120T2

下一个元件:IRF3710PBF

 

详细参数

相关元件

品牌:IR/国际整流器 型号:IRFP4668PBF 种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-N-FET锗N沟道

IRFP4668PBF是一款N沟道、200 V MOSFET,具有130 A的额定电流,采用TO-247封装,并具有9.7 Mohm的最大RDS(on)额定值。该器件达到工业级和一级潮湿敏感度(MSL1)标准。IRFP4668PBF是无铅器件,符合RoHS标准。
IR宣布推出全新系列的trench HEXFET功率MOSFET,这些产品具有行业标准的低导通电阻RDS(on),采用TO-247封装,适用于同步整流、有源ORing和工业应用,包括大功率DC电机、DC-AC逆变器和电动工具。与同类器件相比,IRFP4668PBF在RDS(on)方面所作出的改进高达50%,无需工业应用中通常使用的大型、昂贵封装,有利于降低整体系统成本。此外,低RDS(on)实现了更低的传导损耗和更高的系统效率。
国际整流器公司(IR)是电源管理技术的全球领导者。

IR原装进口功率MOS管IRFP4668PBF:
单 N 沟道 200 V 520 W 161 nC Hexfet 功率 Mosfet 法兰安装 - TO-247AC

制造商零件编号:IRFP4668PBF
安装方法: Flange Mount
封装形式: TO-247AC
包装: TUBE
标准包装数量: 25

产品亮点
  • Channel Type: N-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 200 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 9.7 mΩ
  • Qg Gate Charge: 161 nC
  • Rated Power Dissipation: 520 W
#:IRFP4668PBF
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