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IRFP4668PBF图片

IRFP4668PBF
元件品牌:IR
元件型号:IRFP4668PBF
采购数量:
 

详细参数

IRFP4668PBF是IR的一款N沟道、200 V MOS管,具有130 A的额定电流,采用TO-247封装,并具有9.7 Mohm的最大RDS(on)额定值。该器件达到工业级和一级潮湿敏感度(MSL1)标准。IRFP4668PBF是无铅器件,符合RoHS标准。
IR宣布推出全新系列的trench HEXFET功率MOSFET,这些产品具有行业标准的低导通电阻RDS(on),采用TO-247封装,适用于同步整流、有源ORing和工业应用,包括大功率DC电机、DC-AC逆变器和电动工具。与同类器件相比,IRFP4668PBF在RDS(on)方面所作出的改进高达50%,无需工业应用中通常使用的大型、昂贵封装,有利于降低整体系统成本。此外,低RDS(on)实现了更低的传导损耗和更高的系统效率。
国际整流器公司(IR)是电源管理技术的全球领导者。


IR原装进口功率MOS管IRFP4668PBF:
单 N 沟道 200 V 520 W 161 nC Hexfet 功率 Mosfet 法兰安装 - TO-247AC

制造商零件编号:IRFP4668PBF
安装方法: Flange Mount
封装形式: TO-247AC
包装: TUBE
标准包装数量: 25


产品亮点:

•Channel Type: N-Channel
•Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 200 V
•Drain-Source On Resistance-Max: 9.7 mΩ
•Qg Gate Charge: 161 nC
•Rated Power Dissipation: 520 W

我司不但为您提供可靠的IRFP4668PBF场效应(MOS)管,还可提供IRFP4668PBF应用资料、各类认证证书及产品研发等技术支持!
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