专业代理MICROCHIP单片机 芯片IC 光耦 MOS管 场效应管 可控硅 整流桥 桥堆 二极管 三极管
中文规格书,应用技术资料,PDF下载

客服电话:0512-50710709 | 首页 | 联系我们 | 网站地图 | 收藏本站

网站首页 产品展示 品牌导航 技术资料 公司简介 帮助中心 联系我们
联系方式

总 机:0512-50710709
手 机:15950933050
微信:15950933050
业务QQ:41086900
技术QQ:1723916736
E-mail:master@ksmcu.com

最近浏览元件
相同品牌元件

IPB042N10N3G

IRS2003STRPBF

IR2136STRPBF

IR21531

IRF540N

更多...

  您的位置: 首页 >> 场效应(MOS)管 >> IR >> IRF3710PBF
IRF3710PBF图片

IRF3710PBF
元件品牌:IR
元件型号:IRF3710PBF
采购数量:
 

详细参数

INTERNATIONAL RECTIFIER:IR原装进口MOS管IRF3710PBF IRF3710

单 N 沟道 100V 200W 130nC 功率 MosfetIRF3710PBF

制造商零件编号:IRF3710PBF
安装方法: Flange Mount
封装形式: TO-220-3 (TO-220AB)
包装: TUBE
标准包装数量: 50

IRF3710PBF产品亮点:

  • Channel Type: N-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 100 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 23 mΩ
  • Qg Gate Charge: 130 nC
  • Rated Power Dissipation: 200 W

Advanced HEXFET®Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.

IRF3710PBF Features:
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating175°C Operating
TemperatureFast SwitchingFully Avalanche Rated
Lead-Free

我司不但为您提供可靠的IRF3710PBF场效应(MOS)管,还可提供IRF3710PBF应用资料、各类认证证书及产品研发等技术支持!
专 业 、 专 注 、 诚 信 -- 我 们 只 为 您 的 产 品 更 可 靠 !

诚信通店  淘宝店  
Copyright 2018 ksmcu.com. All Rights Reserved.版权所有:昆山东森微电子有限公司 客户服务热线:0512-50710709 传真:0512-50111209
客户服务邮箱:master@ksmcu.com 苏ICP备09041038号