SVD75N08T：80A 75V N沟道增强型场效应管

描述：
SVD75N08T N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管，采用SL电子新的平面 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。在应用上，优化了器件的寄生参数，增强了栅极抗干扰能力，易于并联使用。该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。

特点：
80A，75V，RDS(on)(典型值)=9m @VGS=10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了 dv/dt 能力

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