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SVD4N65的高清照片

SVD4N65
SVD4N65是SILAN士兰微的一款MOS管|IGBT|模块,我司不但为您提供可靠的全新原装SVD4N65,还可提供SVD4N65应用资料、免费样品及产品研发技术支持!详情可致电垂询.
元件型号:SVD4N65
元件品牌:SILAN士兰微
全新原装正品保障,质量是企业的生命!
采购数量:
 

产品介绍

4A、650V N沟道增强型场效应管

描述
SVD4N65 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管
采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先
进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电
阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源DC-DC 电源转换器,高压 H 桥 PWM 马达驱动。

特点
>>4A,650V,RDS(on)(典型值)=2.2Ω@VGS=10V
>>低栅极电荷量
>>低反向传输电容
>>开关速度快
>>提升了 dv/dt 能力

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