2A、600V N沟道增强型场效应管
描述
SVF2N60 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的S-RinTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。
特点
∗ 2A，600V，RDS(on)(典型值)=4.0Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了dv/dt 能力

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