4A、600V N沟道增强型场效应管

描述
SVF4N60 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管
采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先
进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电
阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。

特点
>>4A，600V，RDS(on)（典型值）=2.2Ω@VGS=10V
>>低栅极电荷量
>>低反向传输电容
>>开关速度快
>>提升了 dv/dt 能力

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