4A、600V N沟道增强型场效应管
描述 SVF4N60 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管 采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先 进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电 阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换器,高压 H 桥 PWM 马达驱动。
特点 >>4A,600V,RDS(on)(典型值)=2.2Ω@VGS=10V >>低栅极电荷量 >>低反向传输电容 >>开关速度快 >>提升了 dv/dt 能力
昆山东森微电子有限公司专业致力于LED灯及其他电源类电子元件如:驱动芯片\光耦\MOS管\可控硅\桥堆\二极管\三极管,欢迎新老客户致电洽谈! |