产品定位：专为高可靠性场景设计的国产SIC MOS

SCDP120R040NB2P4B N沟道增强型高压功率 MOSFET采用士兰微电子碳化硅技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。

五大核心竞争优势

1️⃣ 60A，1200V，Rds(on(typ)=40mR@VGs=18V

2️⃣ 碳化硅技术,降低散热要求

3️⃣ 开关损耗低,低反向恢复电荷

4️⃣ 100%雪崩测试

5️⃣ 无铅管脚镀层,符合 ROHS 环保标准

典型应用场景

• 新能源汽车
  电机控制器、OBC车载充电机、DC-DC转换模块

• 工业自动化
  变频器、伺服驱动器、电焊机逆变电源、DC-DC 转换器

• 清洁能源
  光伏逆变器、储能变流器(PCS)、风电变桨系统

• 智能家电
  变频空调压缩机驱动、大功率电磁炉主控

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