标题：士兰微SVT035R5ND MOS管 | 高效低耗N沟道MOS管，电源管理优选方案

副标题：专为开关电源、电机驱动设计，30V/4mΩ超低内阻，性能稳定，现货供应！

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产品概述

士兰微SVT035R5ND是一款高性能N沟道MOSFET管，采用先进封装技术与低导通电阻设计，广泛应用于电源管理、DC-DC转换、电机驱动、锂电池保护等领域。凭借30V耐压、4mΩ超低内阻（RDS(on)）及高开关效率，显著提升系统能效，降低发热损耗，是工业控制与消费电子领域的理想选择。

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核心优势

1. 超低导通电阻
   RDS(on)低至4mΩ（@VGS=10V），大幅减少导通损耗，提升能源利用率，延长设备续航。

2. 高效开关性能
   快速切换特性（低Qg、Qgd值），优化高频应用场景（如PWM控制）下的响应速度与稳定性。

3. 卓越散热能力
   采用TO-252（DPAK）封装，散热性能优异，支持-55℃至150℃宽温工作，适应严苛环境。

4. 高可靠性设计
   通过士兰微严格质量认证，ESD防护等级高，抗冲击性强，保障长期稳定运行。

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典型应用场景

• 开关电源模块：适配器、LED驱动电源、服务器电源等高效能转换场景。

• 电机控制系统：无人机、电动工具、智能家电的电机驱动电路。

• 锂电池保护板：过充/过放保护、负载开关，提升电池安全性与寿命。

• 汽车电子：车载充电器、DC-DC转换器，满足车规级可靠性需求。

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技术参数速查

参数	数值
型号	SVT035R5ND
类型	N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）	30V
持续漏极电流（ID）	100A
导通电阻（RDS(on)）	4mΩ @ VGS=10V
封装形式	TO-252（DPAK）
工作温度	-55℃ ~ +150℃

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为什么选择士兰微SVT035R5ND？

• 国产替代优选：性能对标国际品牌，性价比更高，供货稳定，支持本土化服务。

• 一站式解决方案：提供技术文档、参考设计及选型支持，加速产品开发周期。

• 环保合规：符合RoHS、REACH等环保标准，满足全球市场准入需求。

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常见问题（FAQ）

Q1：SVT035R5ND是否支持高频开关应用？
A：是的，其低Qg特性（栅极电荷）确保高频下低损耗，适合PWM控制电路。

Q2：与同类产品相比，士兰微MOS管的优势是什么？
A：更低内阻、更强散热设计，且提供完善的售后技术支持，降低客户开发风险。

Q3：如何获取样品或批量采购？
A：联系我们(士兰微授权代理商)，现货库存充足，支持小批量试样与快速交付。

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