美格纳MDE1991RH MOS管中文资料-参数,应用,替代型号-官方授权

美格纳MDE1991RH MOS管中文资料-参数,应用,替代型号-官方授权

为什么美格纳MDE1991RH成为低压大电流应用的理想MOSFET之选?

引言
在当今的电子设备设计中,效率和功率密度是核心追求。无论是BMS、电动工具,还是控制器,对功率器件的要求都日趋严苛。美格纳半导体,作为全球知名的半导体解决方案提供商,其推出的 MDE1991RH MOS管 正是为了满足这一市场需求而生。本文将带您全面了解这款明星产品。

第一部分:产品核心优势解析

MDE1991RH 是一款N沟道增强型功率场效应管,其卓越性能体现在以下几个方面:

  1. 低压大电流,动力强劲:

    • 具备 100V 的漏源电压和持续 120A 的漏极电流,能够轻松应对各种大电流应用场景,为设备提供稳定可靠的能量源泉。

  2. 超低导通内阻,效率之王:

    • 其典型的 RDS(on) 值极低(通常在4.4mΩ左右 @ VGS=10V)。这意味着在导通状态下的功率损耗更小,电能转换效率更高,直接带来更少的发热和更长的设备续航时间。

  3. 卓越的开关特性:

    • 优化的栅极电荷使其拥有快速的开关速度,非常适合BMS和控制器,有助于减小系统中被动元件的体积,提升功率密度。

  4. 高可靠性与坚固性:

    • 采用先进的工艺技术和坚固的封装设计,确保了器件在恶劣环境下仍能稳定工作,具有优异的抗冲击性和耐久度。

第二部分:关键参数一览(技术指标)

为了让您快速了解 MDE1991RH,我们整理了其关键参数:

  • 型号: MDE1991RH

  • 类型: N-Channel MOSFET

  • 漏源电压(VDS): 100V

  • 连续漏极电流(ID): 120A

  • 导通电阻(RDS(on)): < 4.4mΩ @ VGS=10V

  • 栅极阈值电压(VGS(th)): 1.0 ~ 2.5V

  • 封装形式: TO-263易于自动化生产焊接。

第三部分:典型应用领域(解决方案)

美格纳MDE1991RH 因其出色的性能,在多个领域大放异彩:

  • 开关电源(SMPS): 用作服务器、通信设备电源中的同步整流和主开关管,显著提升整机效率。

  • 电机驱动与控制: 驱动直流电机、步进电机,广泛应用于无人机、机器人、电动工具中。

  • DC-DC转换器: 在降压或升压电路中作为核心开关元件,实现高效的电能变换。

  • 锂电池保护与充放电管理: 在大电流放电回路中作为开关,内阻低,压降小。

第四部分:常见问题解答(FAQ)

  • Q1: MDE1991RH 可以替代国际品牌的哪些型号?

    • A: MDE1991RH 在性能上与英飞凌、AOS、威世等品牌的同规格产品(如 AON7412, IRL1004 等)有很强的可比性,是国产替代和成本优化的优秀选择。具体替换请参考数据手册进行对比验证。

  • Q2: 如何获取MDE1991RH的官方数据手册?

    • A: 您可以通过访问美格纳官方网站或联系我们(东森微作为授权代理商)获取最权威、最完整的 MDE1991RH PDF数据手册

  • Q3: 在哪里可以购买到正品美格纳MDE1991RH?

    • A: 为确保产品质量和售后服务,建议通过美格纳官方授权的代理商进行采购。我们提供原装正品保障和具有竞争力的价格。

美格纳MDE1991RH 以其低压大电流、超高效率和可靠性,已经成为工程师们在功率设计中的优选之一。如果您正在为您的下一个项目寻找一颗性能卓越、性价比高的功率MOSFET,那么MDE1991RH绝对值得您重点关注。

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