DSW20T65T-充电机-IGBT

一、产品核心优势：DSW20T65T技术亮点

DSW20T65T是一款650V/20A高压功率器件IGBT，采用第三代沟槽栅场截止技术（Trench FS），具备超低开关损耗、高温度稳定性和强抗冲击能力，适用于屹晶微EG1155数字充电器等严苛场景。

核心性能：

• 电压/电流：650V / 20A（Tc=25℃）

• 低导通压降：Vce(sat)≤1.55V，降低系统能耗

• 快速开关：Eoff≤0.45mJ，提升开关效率

• 工作温度：-40℃~+175℃，适应高温环境

• 封装形式：TO-220，兼容主流安装设计

---

二、典型应用场景与客户案例

1. 数字充电机

DSW20T65T应用于屹晶微EG1155全数字半桥充电机，客户不良率低至千分之三。

---

三、技术参数与竞品对比（附PDF下载）

关键参数表：

参数	数值
集电极-发射极电压	650V
连续集电极电流	20A (@Tc=25℃)
峰值电流	40A
开关损耗（Eon+Eoff）	≤0.8mJ
封装形式	TO-220

竞品对比优势：

• 对比英飞凌IGW20N65H5，YGW20N65T2在动态损耗和性价比上更具竞争力。

• 点击下载：DSW20T65T规格书.pdf | IGBT选型对比表.pdf

---

四、客户反馈与技术支持

• 某新能源企业评价：
  “DSW20T65T替换进口方案后，逆变器成本降低35%，且性能稳定，技术支持团队专业高效。”

• 服务承诺：

  • 免费提供应用电路设计指南及仿真模型（LTspice/PLECS）

  • 24小时样品极速送达（限企业用户）

  • 批量订单1天交付保障

---

五、常见问题解答（FAQ）

Q1：DSW20T65T是否适合高频LLC谐振拓扑？
答：该模块支持最高60kHz开关频率，适用于LLC谐振电路，若需更高频需求，建议选用士兰微SiC MOSFET系列。

Q2：如何避免模块过温失效？
答：推荐使用强制风冷+导热垫片，确保壳温≤110℃。官网提供《IGBT热管理设计手册》下载。

---

六、立即获取样品与报价

扫描下方二维码或点击链接，申请免费样品及批量采购优惠：

---